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BSR58LT1G相关型号
ON安森美热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • BSR58LT1G

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：JFET N-CH 40V 350MW SOT23
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 电压 - 击穿（V（BR）GSS）40V
  • 漏源电压（Vdss）40V
  • 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）8mA @ 15V
  • 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）800mV @ 1µA
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）-
  • 电阻 - RDS（开）60 Ohms
  • 功率 - 最大值350mW
  • 工作温度-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）

其它信息

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