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NGTD28T65F2WP相关型号
ON安森美热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NGTD28T65F2WP

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，NGTD28T65F2WP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装散装
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）650V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）650V
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)200A
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2V @ 15V，75A
  • 功率 - 最大值2V @ 15V，75A
  • 开关能量-
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷标准
  • 25°C 时 Td（开/关）值-
  • 测试条件-
  • 反向恢复时间（trr）-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳模具
  • 供应商器件封装模具

其它信息

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